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resistance）に対応するもの（アナロジー）である。 リラクタンス（reluctance）と呼ばれることも多いが、学術用語集（物理学編・計測工学編・地震学編）では「磁気抵抗」となっている。 まぎらわしいが、磁気抵抗効果（magnetoresistance）とはまったく別のものである。 リラクタンス
磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用い
電気抵抗率（でんきていこうりつ、英語：electrical resistivity）は、どんな材料が電気を通しにくいかを比較するために、用いられる物性値である。単に、抵抗率（resistivity）、比抵抗（specific electrical resistance）とも呼ばれる。単位は、オームメートル（Ω･m）である。慣例的に
磁気抵抗効果（じきていこうこうか、magnetoresistance）とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。まぎらわしいが、磁気抵抗（magnetic resistance）とはまったく異なる現象である。 この現象は、1856年にウィリアム・トムソンによって最初に発見された。この効果
を表す。コンダクタンスのSIにおける単位はジーメンス（記号: S）である。 超伝導体以外の全ての物質は、電流を流した時に熱が発生し、電気エネルギーの一部が失われる。これは、非常に電気を流しやすい金属であっても例外ではない。導線の電気抵抗は、太いほど小さくなり、長いほど大きくなる。材質の違いも電気
トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。
手向かうこと。 抵抗。
(1)外から加えられる力に逆らったり， 張り合ったりすること。 手向かうこと。 さからうこと。
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