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電気抵抗率(でんきていこうりつ、英語:electrical resistivity)は、どんな材料が電気を通しにくいかを比較するために、用いられる物性値である。単に、抵抗率(resistivity)、比抵抗(specific electrical resistance)とも呼ばれる。単位は、オームメートル(Ω・m)である。慣例的に
resistance)に対応するもの(アナロジー)である。 リラクタンス(reluctance)と呼ばれることも多いが、学術用語集(物理学編・計測工学編・地震学編)では「磁気抵抗」となっている。 まぎらわしいが、磁気抵抗効果(magnetoresistance)とはまったく別のものである。 リラクタンス
手向かうこと。 抵抗。
(1)外から加えられる力に逆らったり, 張り合ったりすること。 手向かうこと。 さからうこと。
磁気抵抗メモリ(じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム)は、磁気トンネル接合(Magnetic tunnel junction、MTJ)を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用い
である。一般的には誤差と称される。 抵抗温度係数 抵抗器の温度変化に対する抵抗値変化の割合。単位は ppm/℃ である。 抵抗器はその形状や機能、構造によって幾つかの種類が存在する。 現在、電子機器で使用される小型抵抗器の大部分は、リード線(金属製の脚)を持たない表面実装(表面実装技術)パッケージ(チップ抵抗
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熱抵抗には大きく分けると二つ存在する。 バルク熱抵抗 一般的に熱抵抗と呼ばれる、均質な物体内部の熱抵抗をバルク熱抵抗と呼ぶ。一切の界面を含まない系であるため、コンポジットされている複合体の熱抵抗は、真の意味でのバルク熱抵抗ではないが、均質と見做せる系においてバルク熱抵抗と考える場合が多い。 界面熱抵抗