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磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用い
磁気抵抗効果（じきていこうこうか、magnetoresistance）とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。まぎらわしいが、磁気抵抗（magnetic resistance）とはまったく異なる現象である。 この現象は、1856年にウィリアム・トムソンによって最初に発見された。この効果
を表す。コンダクタンスのSIにおける単位はジーメンス（記号: S）である。 超伝導体以外の全ての物質は、電流を流した時に熱が発生し、電気エネルギーの一部が失われる。これは、非常に電気を流しやすい金属であっても例外ではない。導線の電気抵抗は、太いほど小さくなり、長いほど大きくなる。材質の違いも電気
トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。
手向かうこと。 抵抗。
(1)外から加えられる力に逆らったり， 張り合ったりすること。 手向かうこと。 さからうこと。
巨大磁気抵抗効果（GMR:Giant Magneto Resistive effect）とは、磁気抵抗効果の特殊事例である。 普通の金属の磁気抵抗効果（物質の電気抵抗率が磁場により変化する現象）は数%だが、1nm程度の強磁性薄膜（F層）と非強磁性薄膜（NF層）を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗
小型軽量 他の磁気センサに対する短所 フラックス・ゲートセンサよりも低感度 ハードディスクドライブのヘッド、現在ではTMRヘッドが主流 磁気インクで印刷された文字の読み取り 紙幣の鑑別等 地磁気の検出 計測工学 制御工学 電磁気学 磁性体 物性物理学 ホール素子 フラックス・ゲートセンサ 磁気インピーダンス素子（MI素子）
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