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磁気抵抗効果（じきていこうこうか、magnetoresistance）とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。まぎらわしいが、磁気抵抗（magnetic resistance）とはまったく異なる現象である。 この現象は、1856年にウィリアム・トムソンによって最初に発見された。この効果
トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。
巨大磁気抵抗効果（GMR:Giant Magneto Resistive effect）とは、磁気抵抗効果の特殊事例である。 普通の金属の磁気抵抗効果（物質の電気抵抗率が磁場により変化する現象）は数%だが、1nm程度の強磁性薄膜（F層）と非強磁性薄膜（NF層）を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗
resistance）に対応するもの（アナロジー）である。 リラクタンス（reluctance）と呼ばれることも多いが、学術用語集（物理学編・計測工学編・地震学編）では「磁気抵抗」となっている。 まぎらわしいが、磁気抵抗効果（magnetoresistance）とはまったく別のものである。 リラクタンス
圧抵抗効果（あつていこうこうか）または、ピエゾ抵抗効果（ピエゾていこうこうか、英: piezoresistive effect）とは、半導体や金属に機械的なひずみを加えたときにその電気抵抗が変化する効果である。圧電効果（ピエゾ電気効果、英: piezoelectric
磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用い
Magneto-optical effect）は、磁場をかけた物質の透過光や反射光の偏光状態が変化する現象のことである。 透過光の偏光状態が変化し偏光面が回転する現象はファラデー効果、反射光の偏光状態が変化する現象は磁気光学カー効果と呼ばれる。 ファラデー効果 磁気光学カー効果 非線形光学 磁性フォトニック結晶 表示 編集
外部磁場のある場合に超音波が共鳴的に吸収される現象を磁気音響共鳴吸収という。 ドハース・ファンアルフェン効果とは金属の磁化率が、十分に低温な状態で磁場の逆数に比例して振動する現象。 磁場内で超音波を印加することによって内部構造を可視化する。 磁場内で超音波を印加することによって探傷する。 ^ 徳本洋志 (1977)
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