语言
没有数据
通知
无通知
磁気抵抗効果（じきていこうこうか、magnetoresistance）とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。まぎらわしいが、磁気抵抗（magnetic resistance）とはまったく異なる現象である。 この現象は、1856年にウィリアム・トムソンによって最初に発見された。この効果
圧力抵抗（あつりょくていこう）とは、流体から物体の表面に対して垂直に働く力の合力によって発生する抵抗のことである。形状抵抗ともいうが、これは圧力抵抗は物体の形状と大きく関係するためである。流線形であるなどの理由により境界層が剥離しない場合、圧力抵抗は極めて小さくなり、抵抗はほぼ摩擦抵抗のみとなる。
トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。
電気－弾性－機械的変形の完全可逆性の定量的証拠を得ようと実験を続けた。 次の10年ほどは、圧電効果は、実験室的な関心といったところに留まっていた。1910年、圧電性を持つ20種類の結晶の記述やテンソル解析を用いた圧電気
圧縮効果（あっしゅくこうか）とは、離れている被写体群において遠近感が少なくなる、という効果である。撮影者（観察者）が被写体群から距離（撮影距離）を取ることで効果が強くなる。遠方では観察者から見て、側面が平行に近くなるために起きる。 圧縮効果は、被写体群から離れている時に強くなる効果
手向かうこと。 抵抗。
(1)外から加えられる力に逆らったり， 張り合ったりすること。 手向かうこと。 さからうこと。
巨大磁気抵抗効果（GMR:Giant Magneto Resistive effect）とは、磁気抵抗効果の特殊事例である。 普通の金属の磁気抵抗効果（物質の電気抵抗率が磁場により変化する現象）は数%だが、1nm程度の強磁性薄膜（F層）と非強磁性薄膜（NF層）を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗
搜索 
搜索 搜索 
