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磁気抵抗効果（じきていこうこうか、magnetoresistance）とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。まぎらわしいが、磁気抵抗（magnetic resistance）とはまったく異なる現象である。 この現象は、1856年にウィリアム・トムソンによって最初に発見された。この効果
巨大磁気抵抗効果（GMR:Giant Magneto Resistive effect）とは、磁気抵抗効果の特殊事例である。 普通の金属の磁気抵抗効果（物質の電気抵抗率が磁場により変化する現象）は数%だが、1nm程度の強磁性薄膜（F層）と非強磁性薄膜（NF層）を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗
小型軽量 他の磁気センサに対する短所 フラックス・ゲートセンサよりも低感度 ハードディスクドライブのヘッド、現在ではTMRヘッドが主流 磁気インクで印刷された文字の読み取り 紙幣の鑑別等 地磁気の検出 計測工学 制御工学 電磁気学 磁性体 物性物理学 ホール素子 フラックス・ゲートセンサ 磁気インピーダンス素子（MI素子）
resistance）に対応するもの（アナロジー）である。 リラクタンス（reluctance）と呼ばれることも多いが、学術用語集（物理学編・計測工学編・地震学編）では「磁気抵抗」となっている。 まぎらわしいが、磁気抵抗効果（magnetoresistance）とはまったく別のものである。 リラクタンス
圧抵抗効果（あつていこうこうか）または、ピエゾ抵抗効果（ピエゾていこうこうか、英: piezoresistive effect）とは、半導体や金属に機械的なひずみを加えたときにその電気抵抗が変化する効果である。圧電効果（ピエゾ電気効果、英: piezoelectric
磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用い
トンネル効果（トンネルこうか、英: tunnelling effect）は、量子力学において、波動関数がポテンシャル障壁を超えて伝播する現象である。 20世紀初頭に予言され、20世紀半ばには広く認知される物理現象となった。トンネル効果は、ハイゼンベルクの不確定性原理と、物質における粒子と波動の二重性を用いて説明できる。
Magneto-optical effect）は、磁場をかけた物質の透過光や反射光の偏光状態が変化する現象のことである。 透過光の偏光状態が変化し偏光面が回転する現象はファラデー効果、反射光の偏光状態が変化する現象は磁気光学カー効果と呼ばれる。 ファラデー効果 磁気光学カー効果 非線形光学 磁性フォトニック結晶 表示 編集
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