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である。一般的には誤差と称される。 抵抗温度係数 抵抗器の温度変化に対する抵抗値変化の割合。単位は ppm/℃ である。 抵抗器はその形状や機能、構造によって幾つかの種類が存在する。 現在、電子機器で使用される小型抵抗器の大部分は、リード線（金属製の脚）を持たない表面実装（表面実装技術）パッケージ（チップ抵抗
resistance）に対応するもの（アナロジー）である。 リラクタンス（reluctance）と呼ばれることも多いが、学術用語集（物理学編・計測工学編・地震学編）では「磁気抵抗」となっている。 まぎらわしいが、磁気抵抗効果（magnetoresistance）とはまったく別のものである。 リラクタンス
磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用い
手向かうこと。 抵抗。
(1)外から加えられる力に逆らったり， 張り合ったりすること。 手向かうこと。 さからうこと。
液体抵抗器（えきたいていこうき）は、液体を電気抵抗体として利用した抵抗器。 液抵（えきてい）、水抵抗器（みずていこうき）ともいう。 液体抵抗器は、電極のある容器に水や電解液を満たしたもの。 液中で電極の位置を近づけたり、離したりすることで抵抗値を無段階的に変化させることができる。
3端子型の可変抵抗器をポテンショメータと言う。詳細は当該記事を参照。 抵抗体の一端と可動接点との間のみを使用する、2端子型の可変抵抗器をレオスタットと呼ぶ。3端子の可変抵抗器をレオスタット的に使用する場合、チャタリング防止のため抵抗体の他端は通常、可動接点に接続して使用する。 分圧回路 液体抵抗器 表示 編集
磁気抵抗効果（じきていこうこうか、magnetoresistance）とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。まぎらわしいが、磁気抵抗（magnetic resistance）とはまったく異なる現象である。 この現象は、1856年にウィリアム・トムソンによって最初に発見された。この効果
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