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エピタキシャル成長（エピタキシャルせいちょう、英語：epitaxial growth）とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル
化学気相堆積（CVD: chemical vapor deposition）法は、さまざまな物質の薄膜を形成する堆積法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基板物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧（大気圧）
物理気相成長（ぶつりきそうせいちょう）または物理蒸着（英語：physical vapor deposition、略称：PVD）は、物質の表面に薄膜を形成する蒸着法のひとつで、気相中で物質の表面に物理的手法により目的とする物質の薄膜を堆積する方法である。切削工具や各種金型への表面処理や、半導体素子の製造工程に於て一般的に使用される。
気体からなる相。 気体状態にある相。
〔古くは「せいぢょう」とも〕
触媒体（主にタングステンなどの高融点金属）表面において原料ガスを分解し、生成する未結合手をもった分解種（遊離基）を直接もしくは気相中での反応過程を経た後に基板上に薄膜として堆積させる手法。 触媒体は数百から2,000℃程度まで加熱するが、基板を触
有機金属気相成長法（ゆうききんぞくきそうせいちょうほう、英語：metal organic chemical vapor deposition、略称：MOCVD）は、原料として有機金属やガスを用いた結晶成長方法、及びその装置である。結晶成長という観点を重視してMOVPE (metal-organic vapor
春になり、本尊を見ると腿が切り取られていた。身代り観音であると悟った上人は木屑を拾って腿につけると元の通りになったという。以来、この寺を願う事成り合う寺、成合（相）寺と名付けたという。 本堂（京都府指定有形文化財） - 安永3年（1774年）再建。堂内には中央の厨子内に秘仏本尊、厨子前に前立・聖観音
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