语言
没有数据
通知
无通知
(1)最大限度まで満たすこと。 また， 最大限度まで満たされていること。
〖coil〗
過飽和（かほうわ）とは、 溶液が、溶解度以上の物質を含んでいる状態。 蒸気が、ある温度で本来気体として存在しうる量以上に存在している状態。過飽和蒸気を参照。 溶質と溶液が2つの相に分離していたならば相平衡状態になる溶解量（飽和量）を超えた溶質濃度で単一相を維持する溶液の準安定状態。言い換えると、そ
現在主流となっている再圧タンクを使用した飽和潜水においては、減圧は船上の十分に管理された再圧タンクの中で行えるので、リスクは最小限に留められている。ただし、現用の減圧表はおおむね経験論に基づいて作成されており、さらに設備トラブルのおそれも含め、安全が保証されているわけではない。 一方、加圧段階で発症する高圧神
飽和帯に土壌が存在する時には、土壌中の水は土壌水と呼ばれる。細粒土では、地下水位よりも上の大気圧よりも低い圧力の場所で、毛細管現象によって土壌が飽和することがある。このような、地下水面よりも上の飽和した領域を、毛管水縁（英語版）あるいは毛管上昇帯 (capillary fringe)
る。ビールの泡も、発泡ワインやシャンパンがコルクを飛ばし泡を立てるのも炭酸飽和の作用によるものである。 発泡は水溶液から気体が抜けていく際に起きる。実験室では、塩酸を石灰岩にかけると激しく発泡する。大理石のかけらや制酸薬の粒を塩酸の入った試験管に入れ、コルクで蓋をすると二酸化炭素の発泡を確認できる。この反応は次の化学反応式で表される。
{\displaystyle N_{\text{D}},N_{\text{A}}} : ドナー（n型半導体に電子を提供する不純物）とアクセプタ（p型半導体に正孔を提供する不純物）の濃度 n i {\displaystyle n_{\text{i}}} : 真性半導体キャリア密度 τ p , τ n
飽和攻撃（ほうわこうげき、英語: Saturation attack）は、攻撃側が攻撃を仕掛ける際に、攻撃目標のもつ防御処理能力の限界を超えた時間当たりの量で攻撃すること。 飽和攻撃は、防御側の時間当たりまたは1回当たりの防御能力がnとするなら、攻撃側はnより多い攻撃を一時に加えれば、必ず相手に打
搜索 
