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(Application of Amorphous Oxide Semiconductor for e-papers)." ^ Kumomi, H. "アモルファス酸化物半導体 TFT とその OLED 駆動素子への応用 (Amorphous Oxide Semiconductor-Based
窒化物半導体 (ちっかぶつはんどうたい) は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体。窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒化アルミニウムは絶縁体ではあるが、同列に論じられる。 従来の半導体に比べてバンドギャップの大きいワイドギャップ半導体であり、また
化合物半導体（かごうぶつはんどうたい、英：Compound Semiconductor）とは、2種類以上の元素が結合してできる半導体である。こうした半導体は基本的に共有結合結晶であり、結晶構造は閃亜鉛鉱型構造やウルツ鉱型構造が多い。またアモルファス半導体となるものもある。化合物半導体
接触整流器の特許を取得した。 1907年にジョージ・ワシントン・ピアース（英語版）は、学術雑誌フィジカル・レビューに、ダイオードの整流特性は多くの半導体上に多くの金属をスパッタリングすることによって作られることを示した論文を発表した。 金属-半導体ダイオード整流器
半導体の特徴は、固体のバンド理論によって説明される。 なお、バンド理論を用いれば、半導体とは、価電子帯を埋める電子の状態は完全に詰まっているものの、禁制帯を挟んで、伝導帯を埋める電子の状態は存在しない物質として定義される。 一般的に、抵抗は電流と電圧に関して比例的な関係を満たす、すなわちオームの法則
半金属は通常、金属および非金属と並び立つ元素の第三の分類であると考えられているが、その包含する元素は、場合によっては（半金属ではなく）金属に分類されたり、（半金属ではなく）非金属に分類されたり、あるいは半金属に分類されながら、半金属という分類自体が金属・非金属いずれかのサブカテゴリであるとみなされたりする。
銅酸化物超伝導体（どうさんかぶつちょうでんどうたい）は、酸化銅を含み超伝導現象を示す化合物。 他の超伝導物質の転移温度はいずれも液体窒素の沸点（−195.8 °C, 77 K）よりも低い温度で超伝導状態になるため冷媒として液体ヘリウムの使用が必要だった。1986年4月にジョージ・ベドノルツとアレック
n、価電子帯の正孔濃度を p、イオン化したドナー濃度を ND、イオン化したアクセプター濃度を NA とすると、以下の電荷中性の条件が成り立つ。 n + N A = p + N D {\displaystyle n+N_{A}=p+N_{D}} ドーピングした不純物が全てイオン化している場合を考える。非縮退半導体の伝導帯の電子濃度
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