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ではファイバーチャネルネットワークを主に使用する。 大量の磁気テープ（または光ディスクや光磁気ディスク）を自動化された三次記憶装置に格納したものである。磁気テープの場合はテープライブラリ、光ディスクの場合は光ジュークボックスあるいは光ディスクライブラリ装置などと呼ぶ。最小構成の装置では、装置
-気体の原料を、基板の近傍で、熱やプラズマによって反応させて薄膜を生成する方法。 熱CVD 有機金属CVD（MOCVD） プラズマCVD 原子層堆積 融液法 -液相エピタキシー（LPE）など 溶液法 めっき ゾルゲル法 塗布法 スピンコート スプレー法 印刷 インクジェット 薄膜は膜の厚みによって分類され以下のようになる。 膜の厚みが数10μmならば厚膜
〔main memory〕
(曖昧さ回避)を経て各記事を参照のこと。 この記事では主として人間（ヒト）の記憶について説明する。 人間の記憶の分類法はさまざまである。よって、ここではスクワイアの記憶分類を基にしたモデルについて述べる（他の分類も提唱されている）。記憶は感覚記憶、短期記憶、長期記憶の3つに大きく分類される。自伝的記憶、展望的記憶
(B) が存在しない）である。主に液晶ディスプレイ (LCD) に応用されている。半導体活性層としてセレン化カドミウム (CdSe) を使ったTFTは固体撮像素子用として1949年に発表され、1973年にLCDの駆動が発表された。半導体としてケイ素 (Si)
以下のリストは、網羅するものではない。 紙テープ パンチカード 磁気テープ バブルユニット 磁気バブル 磁気コアメモリ 磁気ドラムメモリ 磁気ディスク ハードディスクドライブ ソリッドステートドライブ 光ディスク 光磁気ディスク フラッシュメモリ オンラインストレージ キャッシュメモリ
遅延記憶装置（ちえんきおくそうち）とは、媒体が音波などを伝える際の遅れを利用し、信号を循環させ記憶装置として使用するものである。種類によっては、遅延線記憶装置（delay line memory）という。技術的にはレーダーで使う信号処理技術などから生まれたもので、黎明期のコンピュータ（真空管式コンピュータ）でよく使われた。
磁場の中に置かれたとき， 引きつけられたり， 反発したりするといった， ある種の物質の示す磁気的な性質。
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