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ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、英: gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。
報告されたが、寿命が短く製品化には至らなかった。また炭化ケイ素を使用する系もあったが、実用化には至らなかった。 1986年、天野浩がサファイア基板に緩衝層を導入し、GaNの単結晶薄膜を得ることに成功した。 1989年、赤崎勇と天野はMgドーピングと電子線照射によりp型の窒化ガリウムを得て、pn接合の
リン化ガリウムは、光学材料としても利用され、波長840 nm (IR)で 3.19、550 nm（緑）で 3.45、262 nm (UV) で4.30の屈折率を持つ。 1960年代から、低〜中輝度の赤・オレンジ・緑発光ダイオード（LED）の低コスト製造に使用されている。単体もしくはGaAsPと組み合わせて製造される。
SbのIII-V族化合物半導体である。ガリウムアンチモンとも呼ばれる。格子定数は約0.61 nmである。 金属間化合物GaSbは、1926年に不活性ガス雰囲気下で直接元素を結合させたスイスの鉱物学者ヴィクトール・モーリッツ・ゴルトシュミットによって初めて生み出され、後に改定されるが格子定数を報告され
〖gallium〗
砒化鉱物（ひかこうぶつ、英: arsenide mineral）は、アニオンに主にヒ化物イオンを含む鉱物である。ヒ化物は Dana と Strunz の鉱物分類系では硫化物と一体に分類される。 アルゴドン鉱（アルゴドンナイト）（algodonite）Cu6As 砒銅鉱（ドメイカイト）（domeykite）Cu3As
ヨウ化ガリウム(III)（ヨウかガリウム、gallium(III) iodide）は化学式が Ga2I6 と表される、最も一般的なガリウムのヨウ化物である。化学輸送法でヒ化ガリウムの純粋な結晶を得るときにヨウ素が輸送媒体として用いられるが、このとき可逆的に GaI3 が生じている。 ヨウ化ガリウム
(TEM)、エネルギー分散型X線分析 (EDS)などが用いられる。これらの分析結果より反応物は灰色の綿状構造であることが示された。SEMによって反応物がワイヤー状構造およびシート状構造であることを示し、TEM写真は酸化ガリウム(III)がリボン状構造であることが確認された。酸化ガリウム(III)のナノリボンおよびナノシー
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