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(1)うつりかわること。 うつりかわり。 推移。
こうして横方向に均等な一様流れが、乱れの非線形な相互作用により加振される。この第3段階では、一様であった境界層の形はゆがめられ、厚さは流れの方向に対して大きく変化する。 境界層のゆがみは波打つように発達して第4段階に到達する。第4段階では、境界層は不安定な3次元高周波外乱となる。この周波数は初期段階
遷移状態（せんいじょうたい、英: transition state）とは、化学反応の過程で原系(反応系)から生成系に変換するときに通る最もエネルギーの高い状態のことである。 例えば、2つの分子の衝突によって反応が開始するとき、衝突によって力学的エネルギーが分子内部のエネルギーに変換され、2つの分子
遷移元素（せんいげんそ、英: transition element）とは、周期表で第3族元素から第11族元素の間に存在する元素の総称である。遷移金属（せんいきんぞく、英: transition metal）とも呼ばれる。第12族元素（亜鉛族元素、Zn、Cd、Hg）は化学的性質が典型元素の金属
遷移)、することが出来る。バンドギャップ間の電子・ホールの再結合のエネルギーは光の光子の形で放出される。これを、放射再結合もしくは発光再結合と呼ぶ。 シリコンの様な間接遷移(indirect bandgap)型の半導体
フォトルミネッセンス）法が知られている。これは主に半導体の基板や太陽電池の評価に用いられている。 ダイヤモンド(C) シリコン(Si) ゲルマニウム(Ge) リン化ガリウム(GaP) アンチモン化アルミニウム(AlSb) ヒ化アルミニウム(AlAs) 直接遷移 半金属 (バンド理論) フォノン
バンド間遷移（バンドかんせんい）は、荷電子帯と伝導帯との間の遷移のことである。 バンド間遷移とは、半導体や絶縁体における荷電子帯の電子がエネルギーを吸収して伝導帯へと励起されること、またはその逆で伝導帯に励起された電子が荷電子帯へと緩和することである。 荷電子帯の最上部と伝導帯の最下部の波数が等しい場合の
遷移行列（T行列）は散乱理論において遷移振幅を与える行列である。 遷移行列は散乱振幅と深いつながりがある。 散乱理論ではしばしば、シュレディンガー方程式を以下の積分方程式（リップマン-シュウィンガー方程式）に書き換えて問題を解く。 | ψ ± ⟩ = | ϕ ⟩ + G 0 ± ^ V ^ | ψ ± ⟩ {\displaystyle
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