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[脚注の使い方] ^ イメージセンサへの応用が特に中心的であるため、CCDといえばイメージセンサ、といったように思われがちであるが、シフトレジスタとして信号処理に使うなど、CCDの利用はイメージセンサに限られない。 ^ 撮像素子にも有機素材の波 ‐有機薄膜を採用したCMOSセンサー技術を開発 ^
X線写真の撮影を目的としてフラットパネルディテクターが使用される。X線を硫酸ガドリニウムやヨウ化セシウムなどの蛍光体(シンチレータ)を入射したX線で励起して発生した光をフォトダイオードで電気信号に変換する間接変換方式と直接電気信号に変換する直接変換方式があり、どちらも原理的
-気体の原料を、基板の近傍で、熱やプラズマによって反応させて薄膜を生成する方法。 熱CVD 有機金属CVD（MOCVD） プラズマCVD 原子層堆積 融液法 -液相エピタキシー（LPE）など 溶液法 めっき ゾルゲル法 塗布法 スピンコート スプレー法 印刷 インクジェット 薄膜は膜の厚みによって分類され以下のようになる。 膜の厚みが数10μmならば厚膜
された。例えば初期の撮像管であるビジコンには三硫化アンチモンを用いたものある。光の強弱によるこの光導電膜の抵抗変化を、撮像管を囲むように配置した偏向コイルなどによって走査される陰極からの電子ビームで外部に読み出すのが基本動作原理である。 世界で初めて作られた撮像管は1927年にフィロ・ファーンズワ
有機薄膜太陽電池とは導電性高分子やフラーレン等を組み合わせた有機薄膜半導体を用いる太陽電池。 次世代照明/TVの有機ELの逆反応として研究が進展した。有機薄膜太陽電池は光エネルギー損失が0.7eVから1.0eVで無機太陽電池(0.5eV以下)に比べて大きいため、吸収できる太陽
(B) が存在しない）である。主に液晶ディスプレイ (LCD) に応用されている。半導体活性層としてセレン化カドミウム (CdSe) を使ったTFTは固体撮像素子用として1949年に発表され、1973年にLCDの駆動が発表された。半導体としてケイ素 (Si)
裏面照射型撮像素子（りめんしょうしゃがたさつぞうそし、英語: Back-illuminated sensor）は、固体撮像素子の一形式。 裏面照射型撮像素子は従来のCCDやCMOS撮像素子のような固体撮像素子と比較して信号を読み取る配線を裏面に設置できるので光の利用効率が高く、画素数を高めたり感度
その後、無機炭素の測定を行うため、試料水をリン酸などの無機炭素用の酸化触媒を充填し約150℃に熱した燃焼管に送り込み、全炭素量を測定した方法同様に、二酸化炭素を発生させ測定する。全炭素量から無機炭素量を引き、その差を全有機炭素量とする。 ＵＶ湿式酸化方式 試料水に試薬を添加し、酸性化し全無機炭素
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