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光学薄膜の中で特に重要なのは、誘電体多層膜といわれるものである。これは、複数の透明誘電体材料の薄膜を数層から数十層積層したものである(材料としては、MgF2、CaF2などのフッ化物、SiO2、TiO2などの酸化物などがある)。材料の組み合わせや膜厚、層数を制御することにより、さまざまな光学特
-気体の原料を、基板の近傍で、熱やプラズマによって反応させて薄膜を生成する方法。 熱CVD 有機金属CVD(MOCVD) プラズマCVD 原子層堆積 融液法 -液相エピタキシー(LPE)など 溶液法 めっき ゾルゲル法 塗布法 スピンコート スプレー法 印刷 インクジェット 薄膜は膜の厚みによって分類され以下のようになる。 膜の厚みが数10μmならば厚膜
(B) が存在しない)である。主に液晶ディスプレイ (LCD) に応用されている。半導体活性層としてセレン化カドミウム (CdSe) を使ったTFTは固体撮像素子用として1949年に発表され、1973年にLCDの駆動が発表された。半導体としてケイ素 (Si)
薄膜干渉(はくまくかんしょう)は、薄膜の上下の境界で反射された光波が互いに干渉し、特定の波長の反射光を増強又は低減させる自然現象である。 膜に光が入射した時、膜の上下の界面では、それぞれ光の反射が起こる。膜の厚さが光の1/4波長の奇数倍になると、両方からの反射波が干渉
集を咎められて幽閉されたのち、同年10月5日に秀吉の命令で自殺させられた。享年39。諸光の横死と共に薄家は断絶した。 薄家は紅粉屋公事・牛公事・長坂口黒木公事・青花公事などの権益を保持する公家であったことから、秀吉によって処罰されたとも考えられる。 篳篥の名手としても有名であった。 注記のないものは『歴名土代』による。
透明薄膜トランジスタ(とうめいはくまくトランジスタ、Transparent Thin Film Transistor, TTFT)は、近年になって活発に研究開発が行われるようになった薄膜トランジスタ(TFT)の1種。可視光(波長:360nm~830nm)を透過する(要は目で見るには透明)のが特徴。
時間帯別では、太陽の角度が低くなる早朝および夕方に多く見られる。これは、太陽が真上から照らす昼は、光線が垂直に伸び、放射状には見えないためである。 天使のはしご KN 森林公園 上下に伸びる薄明光線、ハワイ真珠湾にて 雲の背後に延びる薄明光線 雲片を中心に全方向に向かって広がる薄明光線
薄膜集積回路(はくまくしゅうせきかいろ)とは、基板に真空蒸着で抵抗素子やコンデンサを形成してトランジスタと組み合わせた集積回路(IC)。 初期の集積回路の概念は、モノリシックICというより後のハイブリッドICに近いものとされる。RCAのマイクロモジュール、ウェスティングハウス・エレクトリックのモレキ