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ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、英: gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。
ヒ化カドミウム（ヒかカドミウム、英: cadmium arsenide）は化学式 Cd3As2 で表される無機化合物。結晶構造は正方晶系で、エネルギーギャップ 0.14 eV の狭ギャップ半導体である。室温において電子移動度が非常に大きい、n型半導体の一種であり、アモルファス半導体材料として使用さ
ヒ化インジウムガリウムはガリウムのヒ化物であり、組成式はInGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではインジウム・ガリウム・ヒ素という呼称で呼ばれることも多い。 一般的な半導体材料であるシリコンよりも電子移動度が高いので高周波デバイ
ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmの赤外線検出器の製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズ
酸とアニリンの反応により得られる。 モノメチル酸であるメタンアルソン酸(CH3AsO(OH)2)は、コメやワタの栽培の殺菌剤であるネオアソジンの前駆体である。ロキサルソン（4-ヒドロキシ-3-ニトロベンゼンアルソン酸）やウレイドフェニルアルソン酸、p-アルサニル酸等のフェニルアルソン酸
三フッ化ヒ素（さんフッかヒそ、英: arsenic trifluoride）はヒ素のフッ化物で、化学式AsF3で表される無機化合物。無色の液体で、水と容易に反応する。半導体の製造などに使われる。 フッ化水素と三酸化二ヒ素の反応により生成される。 6 HF + As 2 O 3 ⟶ 2 AsF 3
161Åの長さで、Cl-As-Clの角は98°25'±30である。三塩化ヒ素は、ν1(A1) 416、ν2(A1) 192、ν3 393、ν4(E) 152 cm-1の4つの通常振動モードを持つ。三塩化ヒ素はほぼ共有結合であり、そのため融点は低い。 三塩化ヒ素は、三酸化二ヒ素を塩化水素で処理し、その後蒸留することによって製造される。
五フッ化ヒ素（ごフッかヒそ、英: arsenic pentafluoride）は化学式AsF5で表される無機化合物。ヒ素のフッ化物であり、ヒ素の酸化数は5。 ヒ素とフッ素との直接反応および三フッ化ヒ素にフッ素を加えて生成する。 2 As + 5 F 2 ⟶ 2 AsF 5 {\displaystyle
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